Page 45 - 第三代半導體明日之星---碳化矽功率元件近況與展望

以EDA創新為基，促進半導體產業進程
作者:潘志豪，西門子 EDA 亞太區 Calibre 首席應用工程師
本文介紹EDA公司目前進 行具影響力的創新變革，並使 用西門子EDA (Siemens EDA)的 Calibre平台說明這些變革如何從 理念轉化為實際應用。
對於EDA公司而言，為下一個 節點做好準備的關鍵是在該節點 的開發初期就與晶圓代工廠進行 合作。辨識、分析和開發新的檢查 功能需要時間，將新功能完善成為 具有高性能、低記憶體需求和良好 可擴展性的驗證流程需要更多時 間。同時，製程要求發生變化，驗 證工具的預期也會發生變化，這樣 一來，驗證工具的功能也隨之發生 變化，EDA公司很難僅根據晶圓廠
圖1:在先進節點上維護設計效能和可製造性需要更多的設計規則和相 圖2:晶圓廠發佈版本透過規則組最佳化，減少DRC標準化執行時間。 關檢查。 (資料來源:Siemens EDA) (資料來源:Siemens EDA)
這些因素對整個IC設計生態 系統產生了重大影響，特別是在 實體驗證方面。設計規則和規則 的運算數量持續增加(圖1)，執行 時間和記憶體的需求也隨之增加; 新增設計規則檢查(DRC)，導致從 實體驗證到投片的過程中需要更 多的DRC反覆驗證運算。
晶圓代工廠的「金質標準」 DRC驗證規則檔案是透過早期版 本的簽核平台和使用矽智財(IP) 測試晶片來開發與驗證。在此過 程中，DRC工具可協助定義和驗 證新製程的設計規則，驗證晶圓 代工廠新製程節點所開發的IP，
變革一:與晶圓代工廠密切 合作
EDA公司與晶圓代工廠建立 合作關係，在晶圓代工廠新製程的 最初開發階段就使用EDA公司提供 的工具，這樣一來，開發新功能和 使用這套EDA工具評估結果的即 時反覆運算週期，不僅有助於晶圓 代工廠調整設計工具套件的要求， 而且可協助EDA公司在設計客戶開 始使用驗證工具之前，同時微調和 完善其驗證工具。
DESIGN IDEAS
EDA業者正與IC設計公司、晶圓 代工廠攜手，因應由摩爾定律 (Moore’s Law)發展帶來的各項 挑戰。自22nm節點以來，業界對 於多重曝光(multi-patterning) 的需求一直存在，即使導入極紫外 光(EUV)微影技術，這種需求也未 曾消失。相反地，導入更多的多重 曝光帶來了複雜的填充要求，並 成為先進製程可製造性和效能的 關鍵因素。
早期提出的需求開發出從一而終、 面面俱到的工具。
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