Page 44 - 第三代半導體明日之星---碳化矽功率元件近況與展望

DESIGN IDEAS
圖2:封裝體經過特殊開蓋方式露出晶片及部份打線。 圖3:使用人工物理手法，移除晶片及打線(引線)。
圖4:完成可以封裝打線的封裝體。 圖5:透過黏晶、引線、封膠，結合待測晶片樣品與測試治具。
圖6:移植SIP內的目標裸晶，樣品製備為wBGA封裝形式，順利進行後 圖7:取出Module內的目標元件，經植球後，即可回到客戶廠內測試。 續各項測試。
品放置於測試治具;接著，施打對 應的打線/引線;最後，使用封膠 將打線/引線及晶片保護隔絕，完 成成品(圖5)。
1.取出SiP中的目標異常Die，製 備成wBGA
2.從模組中取出元件，進行植球
˙步驟五:先針對樣品進行IV 電特性量測，或是，客戶也可以攜 回該顆重新封裝過後的IC，至自 家廠內進行功能性電特性量測。
圖2為SiP樣品，宜特科技透 過Repackage移植技術，將其中 的目標異常裸晶取出，進行樣品製 備，移植成窗型球閘陣列(wBGA) 封裝形式。藉此，客戶即可避開其 他元件的干擾，針對該顆wBGA進 行後續自動測試設備(ATE)，確認 異常位置。
當模組中有多顆IC或元件時， 宜特科技透過研磨或切割，將目標 元件從Module中取出，接著進行 植球服務，讓客戶可以取回至自家 廠內進行各項測試，釐清相關故 障原因。
IC Repackage移植經典案例
42 www.edntaiwan.com
圖7為從模組取出目標BGA IC，經過尺寸量測及植球後，便於 客戶後續測試。