Page 16 - 能量採集技術開啟醫療應用新局

PULSE
此載子壽命就非常短(1~2μs)。因 此，在IGBT/閘流體製造之前，最 廣泛的做法是使用壽命延長製程 (長氧化製程)驅動碳進入漂移區， 以此填充空穴，從而將該壽命延 長至10~20μs。
SJ元件是降低SiC MOSFET 電阻的另一種潛在方法，它是全 單極MOSFET和IGBT之間的中間 領域。然而，用於在Si中製造窄N 型和P型柱的熟悉深注入製程在 SiC中是不可能的，其高原子密度 會導致非常淺的注入。因此，業界 已發明了替代製造方法來創建所 需的垂直PN柱，包括在SiC中蝕刻 溝槽並用磊晶對其重新填充。另一 種方法著眼於注入溝槽側壁。這 些方法仍處於起步階段，仍有待 克服技術挑戰，但它們證明了SiC SJ元件是可能的。
總結
相較於其他寬能隙材料，SiC
的巨大優勢在於其基板是獨立的， 而且具有天然的SiO2氧化物，這使 其複製所有眾所周知的Si功率元件 拓撲結構成為可能，並且能夠提高 所有的電壓級。電動車的興盛繁榮 正是啟動SiC產業、鼓勵市場競爭 以及以更低價格和更大規模實現 更高品質的材料所需之催化劑。 同時，這也是擴大SiC電壓範圍， 使其贏得650V和1,200V市佔率之 後的第二要務。
假設這兩種製程都可以被大 規模掌握和實施，那麼在SiC中實 現高品質的雙極元件是可能的， 這可以將特定電壓下的裸晶面積 減少多達10倍。直到現在還沒有 提到的是，PIN二極體可能是第 一個也是最容易推向市場的高壓 SiC元件，因為這種元件可以直接 在N+基板上生產。
另 一方 面，隨 著 時 間 的 推 移，SiC將會對電網、再生能源和 交通運輸產業帶來影響。事實上， 許多關於如何生產下一代SiC元件 的解決方案已經十分明朗，落實更 多的商業應用只是時間問題。
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