Page 34 - 高解析度UVA MicroLED顯示器—未來顯示技術新主流

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部總經理Edoardo Merli稱，該公 司的SiC業務目標是在2024年達到 10億美元的營收規模。
第三代SiC技術廣受業界 認 可 意 味 著，標 稱 額 定 電 壓 從 650V、750V直到1,200V的SiC元 件現在已經可用了。設計工程師現 在已經能在更廣泛的應用中採用 這種技術，從普通的交流(AC)線 路電壓，到高壓電動車電池和充 電器等。其中，ST的首批SiC元件 之一——SCT040H65G3A是一款 工作電壓為750V的功率MOSFET， 售價僅為5美元。
圖2:SiC功率堆疊據稱可將上市時間縮短最高達六個月。
(圖片來源:Microchip)
超越SiC MOSFET
閘極驅動器由Microchip的智慧 配置工具(ICT)提供支援，該工具 可免費下載。ICT提供的使用者介 面讓使用者能夠配置閘極驅動器 參數，例如閘極開關設定檔、系 統關鍵監視器以及控制器介面設 置 等。
SiC MOSFET具有更高的額定 電壓，可應用於功率模組和參考設 計。例如，Microchip將與電源管 理解決方案供應商Mersen合作， 為電動車和儲能應用打造150kVA 的三相SiC電源堆疊參考設計。該 參考設計在單堆疊參考設計中整 合了Microchip的SiC電源模組、數 位閘極驅動器以及Mersen的匯流 排、熔斷器和電容器。
基於SiC MOSFET建構的參 考設計可提供16kW/l的功率密度 和高達130°C的接面溫度(Tj)，峰 值效率達98%，開關頻率則高達 20kHz。Mersen全球策略行銷副 總裁Philippe Roussel聲稱，該 參考設計將有助於最佳化任何逆 變器拓撲。「SiC能將其主要規格 擴展至更高的電壓、電流和開關頻 率，以 滿 足 工 作 點 的 需 求。」
具備的能力。此外，SiC所具有的 節能潛力也推動了其於太陽能逆 變器、儲能系統、馬達驅動和電源 等工業領域中的應用。
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其電源模組採用1,200V MSCSM120AM042CD3AG SiC MOSFET，搭配AgileSwitch 2ASC-12A1HP數位閘極驅動器 共同運作，讓設計工程師能夠使 用為其應用預先設計的工具套件， 更快速地開發高電壓系統。藉由可 配置的數位閘極驅動器，該參考 設計讓工程師可在高達750A的電 流下，在700V和1,200V電壓之間 進行選擇。
從MOSFET到電源模組，再 到參考設計，SiC元件的廣泛可 用性，證明了這種寬能隙(wide bandgap;WBG)技術在電動車 應用和快充電動車基礎設施中所
AgileSwitch 2ASC-12A1HP
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