Page 14 - EV Hypercar突破重量與動力極限

PULSE
在高頻半橋圖騰柱PFC電路中使 用。此電晶體具有低閘極電荷和 低輸出電荷特性，非常適合工業、 電訊和資料中心等應用。
此 外，英 飛 凌 並 提 供 使 用 IGOT60R070D1的2500W全橋圖 騰柱PFC展示板，顯示在效率關鍵 型應用中使用GaN技術可實現高 達99.2%能量轉換效率的優勢。 圖騰柱PFC使用半導體開關而非 橋式整流器或單個二極體來建構 高效率的AC/DC轉換器電路，控 制電路使用一個65kHz恒定PWM 開關頻率和一個連續導通模式控 制器IC。
圖3:STMicroelectronics的碳化矽MOSFET產品組合。 (圖片來源:STMicroelectronics)
STMicroelectronics的寬能 隙產品陣容包括650V和1200V碳 化矽MOSFET，參見圖3。
意法半導體的1200V碳化矽 MOSFET採用HiP247封裝，其 Rds(on)為21mΩ，可承受91A最 大汲極電流。該MOSFET並整合 了一個快速且耐用的體二極體，而 且具有較低閘極電荷和輸入電 容，適用於各種DC-DC轉換器、 充電器和再生能源系統等應用。
該公司開發的另一款SiC MOSFET是經過AEC-Q101認 證 的 汽 車 級 6 5 0 V、1 0 0 A 寬 能 隙半導體元件，其Rds(on)為 20mΩ。STMicroelectronics的這 兩款MOSFET均適用於接面溫度 為200°C的高溫應用。
圖4:整合兩個100V GaN增強型電晶體的全橋式評估板。
結論
針對馬達閘極驅動和功率轉 換電路，寬能隙半導體預示著能夠 達到新的能源效率等級、更高的開 關頻率與操作溫度。採用基於碳化 矽和氮化鎵的MOSFET和電晶體 元件，以及互補的設計資源如今已 充份到位，有助於業界工程師整合 於其下一代的設計中。
ROHM提供1200V、95A的高 功率碳化矽MOSFET，其Rds(on) 為22mΩ，最大接面操作溫度為 175°C。該元件應用包括範圍廣 泛的功率轉換、太陽能逆變器和
GS6100x系列100V GaN增強型電 晶體。該元件採用底側冷卻方法， 其Ids (max)為38A，Rds(on)可低 至18mΩ，能夠容許高於10MHz 的開關頻率。GaN Systems並提 供整合兩個GS61004B電晶體的 全橋式評估板。
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馬達控制設計等。 最後是來自GaN Systems的
(圖片來源:GaN Systems)