Page 46 - 防禦還是破口?辨識AI的安全威脅
P. 46
DESIGN IDEAS 閘極驅動迴路電感的影響(參見圖
軟開關拓撲進行了最佳化,可以 用來創建易於使用的「數位輸入, 電源輸出」高性能動力傳動建構 模組。該電源IC將傳統拓撲(例如 返馳式、半橋式和諧振式)的性能 擴展到了兆赫頻帶以上的開關頻 率。NV6113能夠在典型的升壓拓 撲中作為單個元件部署,也可以
在流行的半橋拓撲中平行部署。 此外,德州儀器(Texas Insrtuments;TI)提供廣泛 的GaN整合電源元件組合。例 如,LMG5200整合了一個基於增 強型GaN FET的80V GaN半橋 功率級。該元件由兩個GaN FET 組成,並由一個半橋配置的高頻
1)。根據來自驅動輸出FET反饋的 閘極驅動電壓內部穩壓,在仍將 輸出FET開通至低RDS(on)狀態 的同時,確保了安全閘極電壓級。
另一個例子是來自GaN Systems的GS-065-004-1-L增 強型矽基GaN功率電晶體。GaN 的特性可實現大電流、高電壓擊 穿和高開關頻率。GaN Systems 實現其專利的Island Technology 單元佈局,用於實現大電流磊晶性 能和產量。GS-065-004-1-L是一 種採用5mm×6mm PDFN封裝的 底部冷卻電晶體,因此可以實現低 結殼熱阻。結合這些特性可以提供 非常高效的電源開關。
納微半導體(Navitas Semiconductor)的NV6113在 5mm×6mm QFN封裝中整合 了300mΩ、650V增強型GaN HEMT,以及閘極驅動器和關聯邏 輯。NV6113可以承受200V/ns的 電壓轉換速率,並在高達2MHz的 頻率下運作。該元件針對高頻和
圖1:EPC2152的功能方塊圖。
(圖片來源:EPC)
圖2:納微半導體的NV6113典型應用電路。
(圖片來源:Navitas Semiconductor)
44 www.edntaiwan.com