Page 33 - CMOS影像感測器的元視覺：超越人眼看世界

並使表面結構轉換成氧化鎳(NaCl 結構)，使鋰離子在遷進遷出產生 極大阻抗:NMC811粉末儲存在大 氣下30天後進行電化學性能的測 試，對粉末進行水洗製程，並進行 電化學性能量測(圖6)，可觀察到 W2的電化學性能相對其他樣品更 為穩定，主要是水洗製程後新增後 退火製程，以抑制材料結構表面析 出相生成。
圖5:(a) NMC氧空缺示意圖;(b)不同氧分壓燒結NNC粉末在1C下進行循環測試結果。
4. 在充放電過程中，材料發生 體積變化，材料在充放電之後形成 許多微小裂痕，使得表面結構形成 更多氧化鎳結構:針對粉末充放電 前後進行電子顯微鏡觀測(圖7)， 發現表面除了產生許多細小裂痕， 使電化學行為產生變化外，充放電 時的極化現象變得更為明顯。
圖6:(a)水洗製程前後與退火溫度對於循環充放電的影響;(b)不同樣品在CC-CV模式測試下的高電流 充放電性能。
圖7:材料在充放電前後SEM影像及示意圖。
為了最佳化電化學性，改善粉 末表面結構及降低鋰鎳混排能是 首要之務。近年來，已有許多研究 提出解決方案，可分為以下四種: 1 . 摻 雜 元 素 ( M g、M o、Z r、T i ):
利用鎂離子進行摻雜，在0.5C 的測試下，350圈後仍維持81%的 維持率(圖8a)，且開發出低鋰鎳混 排的高鎳正極三元材料(圖8b)。
利用鋯離子進行摻雜，發現在 鋯離子摻雜後使003的接面間距產 生擴張(圖9a)，降低鋰離子在遷進
DESIGN FEATURES
圖8:(a) NMC粉末經過鎂離子摻雜前後的循環充放電性能;(b) NMC粉末在鎂離子摻雜後的XRD分析結果。
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