Page 39 - 智慧家庭：為什麼‘Matter’很重要？

實現其中一些概念的方法。首先， 應該體認到輸入濾波電解電容(EL 電容)的體積很大(約為配接器體積 的15%)，而散熱很少。因此，將 GaN元件直接放置在電路板另一 側的EL電容下方會有所幫助。使 用通孔和熱膠將熱量傳遞到電路 板的EL電容側也有很大幫助。類 似的策略還可應用於EMI濾波電 感等熱耗散元件。
DESIGN IDEAS
另一個有用的步驟是將輸入 橋式整流器(會消耗4.5%的輸出 功率)移至子板。整流器的自熱並 不至於損害配接器的性能。然而， 從整流器到GaN元件的熱擴散會 影響功率處理能力。最後，在組裝 之前，可以策略性地使用銅板將高 耗散區域與低耗散區域連接起來， 從而嘗試平衡配接器內的溫度。圖 1說明其中一些概念。
圖1:散熱和EMI設計、佈局和封裝解決方案。
EMI解決方案
EMI解決方案包括傳統途徑， 例如選擇正確的頻率、適當的佈 局、合適的EMI濾波器以及控制開 關轉換。QRF拓撲可以實現更軟 的啟動開關轉換，從而有助於降 低EMI。TP44x00NM系列還可以 實現閘極開啟速度控制，從而為限 制EMI提供了額外的手段。
圖2:散熱性能比較。
需要一些特殊措施(在圖1中突顯 其中一部份)。首先，共模扼流圈 需要在X電容的任一側分成兩個 電感(一個用於1MHz頻率，另一個 用於1~30MHz頻率)並放置在交流 (AC)側。差模(DM)濾波器是一種π 型濾波器，透過將直流(DC)側濾波 器電容一分為二，並在中間放置一
這種微型配接器的初級-次級 電容較大得多，因為其初級側和 次級側之間的間距從一般的8mm 縮減到更低的程度。這降低了共 模(CM)阻抗，因此導致了初級和 次級之間更高度的耦合——用於 散佈熱量的銅箔使得這種現象變 得更糟。最終的傳導EMI合規性
個DM扼流圈形成。最後，也是最 關鍵的，受安規強制要求的Y電容 要放置在兩個位置:一個(680pF) 放置在X電容和次級接地之間，另 一個(也是680pF)放置在次級開 關節點和初級接地之間。1.36nF 的總值要遠低於2.2nF Y電容的限 值，這也就提供了一些設計裕量。
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