Page 21 - 材料分析層層把關先進製程設備零缺陷

製程設備如何影響IC半導體 生產良率?
因此，半導體製程上所使用 的製程設備(如黃光、蝕刻、清洗、 鍍膜、甚至承載與傳送機具...等)， 在重複的製作過程中，其真空腔 體及內部零件也同時在經歷蝕刻 (或鍍膜)，而累積一段時間後，將
此外，元件線路尺寸也隨著 「摩爾定律」(Moore's Law)不 斷地縮小至數奈米，更無法容忍 製程設備所產生的副產物(或汙 染)，因此，除了需要提高PM的頻 率外，相關設備零件也必須不斷地
半導體積體電路(IC)製程隨
COVER STORY
2022年開始，台積電(TSMC)、英特爾(Intel)、三星(Samsung)等半導體大廠的先進製程大戰如火 如荼地展開，重砸資本支出在各項先進製程設備，如極紫外光(Extreme Ultraviolet;EUV)微影設 備需求大增;若要在這場大戰奪得先鋒，關鍵在於產品良率(yield)是否能快速提升。
影響產品良率的因素非常 多，本文作者將透過本身在宜 特科技(Integrated Service Technology;iST)實驗室的相關 經驗，聚焦於「先進製程設備的 缺陷如何影響良率」，以及「如何 透過材料分析改善缺陷」。
著成本及技術的演進，晶圓尺寸 很快地從四吋、六吋、八吋來到穩 定的十二吋，而對於有效的IC晶 粒(chip)數，「良率」(yield)一直 是非常重要的關鍵指標。
會導致腔體汙染，或產生副產物 掉落至晶片上影響良率。所以製程 設備必須定期做清潔預防性維護 (preventive maintenance;PM) 或更換零件。
圖1:光罩上污染或缺陷的斷面EDS成份分析。
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