Page 25 - 縱橫半導體檢測—TOF-SIMS扮演要角

從分析樣品轟擊出來的離子碎 片(Fragment)，可偵測到週期 表上所有元素及同位素，亦可得 知樣品的分子資訊(Molecular Information)。一般來說，TOF- SIMS的分析模式可以分為以下 三類，並輔以幾個實際分析案例 加以說明。 一、表面質譜分析(Mass Spectrum)模式 二、表面影像分析(Ion Image) 模式
PCB上的矽油殘留汙染分析
資料庫數據比對得出此訊號為矽 油成份，進而辨別有機污染物的 種類及可能來源，這與FT-IR的分 析模式非常類似。
TFT Array面板經過多道半 導體製程後會形成最後的驅動 電極，如S/D Electrode、Pixel Electrode、Gate Electrode， 製程所使用的金屬材料包含鋁和 銅及稀有金屬如鉻、銦、鉬、鈦、 鉭等。TOF-SIMS的表面影像分析 模式(Ion Image)具備清晰的離
三、縱深分析(Depth Profile) 模式
矽油具有絕緣介質(抗腐蝕、 耐高溫、防塵防潮)的特性，廣泛 運用於電子製程中，通常需要專 門的清洗劑來做清潔，若有未清 洗完全的矽油殘留在印刷電路板 (PCB)表面，則會造成後續製程不 良的發生，例如:吃錫不良、灌封 膠無法覆著等。TOF-SIMS具備微 區有機汙染的分析能力，藉由表面 質譜分析模式(Mass Spectrum)比 對正常與異常PCB的表面質譜(圖 3)，可發現異常PCB的表面在荷質 比為147之處有明顯差異，再透過
TFT面板的表面成份分佈
COVER STORY
圖3:矽油(Silicon Oil)污染的TOF-SIMS表面質譜圖。
圖4:TFT電極成份的TOF-SIMS離子影像圖。
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