Page 25 - 6G 研究浪潮全面啟動

度的損耗。 在圖8中，我們可以看到IGBT
開關產生的總熱功率(以W表示 I(V6))，以及隨時間升高的溫度(以 攝氏度表示V(Tsyst))。圖8下圖顯示 產生成的電流。
無需贅述，調整調變參數即可 降低溫度隨時間升高(圖8下圖，紅 色曲線):縮短開關佔空時間可以 減少熱量的產生，但也會造成正 弦訊號損失。
圖6:不同時間週期波變化。
我們不再詳細介紹這種情況， 但我們希望透過提供的示例說明， 使用NTC熱敏電阻進行LTspice 電路模擬具有深遠意義，可幫助 MOSFET/IGBT模組設計工程師開 發直觀的電路，並協助他們透過減 小熱量提供電路保護。
圖7:全橋IGBT模組。
圖8:IGBT開關產生的總熱功率及其隨時間升高的溫度。
https://www.hackster.io/alainstas/spice-simulation-of-temperature-derating-of-boost- converter-5acef8
DESIGN IDEAS
本文所示模擬備索:edesign.ntc@vishay.com，可登錄以下網址下載:
https://www.hackster.io/alainstas/ltspice-inverter-simulation-with-thermal-effects-dadf6a
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