Page 11 - EV Hypercar突破重量與動力極限

(ADAS)市場中受到廣泛採用， 造就了穩健、可靠且可量產的 生產技術。
• 雷達感測器在光線或天氣不 佳的環境下依然可以表現良 好。 隨著汽車產業對於高精準、
種廣泛的功能與優勢，尤其是應 用於非接觸式操作、生命跡象監 控，以及車內/外異常狀況偵測等 功能。這些獨特的功能採用雷達感 測技術，將有助於提升汽車駕駛與 乘客的安全，並創造更好的整體行 車體驗。
• 雷達感測器的有效範圍超過 200公尺——取決於視角(FOV) 範圍，特別適用於需在高速下 運作的系統。
多功能系統的需求持續增加，雷 達感測技術將成為產業創新的最 佳推手。智慧RF感測器提供了各
寬能隙半導體為
高功率轉換和馬達控制帶來新機會
作者:Mark Patrick，貿澤電子 EMEA 技術行銷經理
1.1eV，而氮化鎵和碳化矽的能隙 值相似，範圍約在3.2eV~3.4eV 之間，大概是矽的三倍，由這些 複合材料製成的功率半導體元件 (例如MOSFET和JFET)更適合於 馬達閘極驅動器和開關電路等高 壓應用。高能隙值還具備較低的 洩漏電流，而高電子飽和速度則 允許元件在高開關頻率下操作。
仰仗多年的研發和創新，電子產 業經常每隔一段時間就會有某個 領域取得重大技術進步。最近， 功率電子領域即從半導體製程技 術創新中受益匪淺，並推動寬能 隙(WBG)元件發展。幾十年來，矽 一直是首選的半導體材料。但是， 對其他化合物半導體材料——尤 其是碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN) 的研究，促成了更高能效、更小巧 且更穩定的半導體元件，從而為 功率轉換和馬達驅動等應用注入 新活力，並帶來顯著的性能優勢。
隙材料之間的其他電氣差異還包 括電介質擊穿電壓明顯較高，以 及較高的電子遷移率。相較於矽 的擊穿電壓約0.3MV/cm，SiC與 GaN的電介質擊穿電壓分別為 3.5MV/cm和3.3MV/cm，這表明 寬能隙元件擊穿電壓特性至少比 矽元件好十倍。
矽和碳化矽、氮化鎵等寬能
電子遷移率是表徵電子在化 合物半導體中遷移速度的一個指
PULSE
在 半 導 體 物 理 學 中，能 隙 是固態材料中價電帶(valence band)和傳導帶(conduction band)之間的能量範圍，其中並 不存在任何電子態。跨越能隙需 要電子擁有足夠能量(以eV為單 位)，以實現傳導並產生電流。能 隙屬性相對較低的材料通常都是 半導體，而能隙較高的材料則為 絕緣體。例如，矽的能隙特性為
圖1:碳化矽和氮化鎵寬能隙材料與矽元件的電氣和物理特性比較。 (圖片來源:Mouser)
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